YK8R512K40 SRAM存储芯片
YK8R512K40/1M40 是高可靠、 高速、 异步、 低功耗、 抗辐射静态随机存储芯 片,采用 0.13um CMOS 工艺,容量达到 20Mb(512K*40bit)/40Mb(1M*40bit)。YK8R512K40/1M40
作为通用数据存储芯片,可广泛应用于航天计算机控制与数据处理等系统中。
性能指标

YK28F256KLV-2.jpg

功能特点
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