YK8CR2M32RH
YK8CR2M32RH是一款高性能、抗辐射2048K×32bit SRAM。YK8CR2M32RH为异步操作存储器,具有容量大、抗辐射、数据存取时间快等特点。
性能指标

YK8CR2M32RH是一款高性能抗辐射2048K×32bit SRAMYK8CR2M32RH为异步操作存储器具有容量大抗辐射数据存取时间快等特点

主要特点

兼容型号Aeroflex公司UT8ER2M32

工作电压I/O3.3V

内核1.2V◎ 

读写时间最大数据读取时间20ns

最大数据写入时间10ns

输入输出接口CMOS电平三态双向数据总线

抗辐射指标总剂量100K RadSi

单粒子闩锁阈值75MeV·cm2/mg

单粒子翻转在轨错误率1×10-10错误/·

GEO轨道等效Al3mm

工作温度-55℃~+125

ESD等级2000V

封装形式CQFP84

外形尺寸55.37mm×55.37mm成型前


功能特点

产品型号

类型

容量

bit

读取时间

ns

工作电压

V

输入电平

封装形式

兼容型号

YK8CR2M32RH

SRAM

2M×32

20 10

内核1.2 I/O3.3

CMOS

CQFP84

UT8ER2M32


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