K8R512K8是一款高性能、异步、抗辐射512K×8bit静态随机存取存储器,容量达到4Mbit,采用双电源供电。其读写操作由四个控制信号完成:片选信号E1和E2(方便用户扩展)、读/写使能信号W和输出使能信号G。当片选有效(E1为低电平且E2为高电平),W为低电平时,8位I/O上的数据被写入存储器件,当片选有效(E1为低电平且E2为高电平),W为高电平且输出使能G为低电平时,存储器中的数据被读出,并被输出到8位I/O端口。YK8R512K8作为通用数据存储设备,应用于航天计算机控制与数据处理系统。
◎ 兼容型号:Aeroflex公司UT8R512K8
◎ 存储容量:512K×8bit
◎ 工作电压:I/O:3.0V~3.6V
内核:1.7V~1.9V
◎ 读写时间:17ns
◎ 接口电平:CMOS电平
◎ 抗辐射指标:总剂量:100K Rad(Si)
单粒子闩锁阈值:75MeV·cm2/mg
单粒子翻转错误率≤1×10-10错误/位·天
◎ 封装形式:CFP36
◎ 外形尺寸:23.37mm×21.2mm(标准成型尺寸)
产品型号 | 类型 | 容量 (bit) | 读取时间 (ns) | 工作电压 (V) | 输入电平 | 封装形式 | 兼容型号 |
YK8R512K8 | SRAM | 512K×8 | 17 | 内核:1.8 I/O:3.3 | CMOS | CFP36 | UT8R512K8 |