YK9Q512ERH
YK9Q512ERH是一款高性能、异步、抗辐射512K×8bit静态随机存取存储器,容量达到4Mbit,采用单电源供电。其读写操作由三个控制信号完成:片选信号E1、读/写使能信号W和输出使能信号G。当片选有效(EI可为低电平),W为低电平时,8位I/O上的数据被写入存储器件﹔当片选有效(E1为低电平),W为高电平且输出使能G为低电平时,存储器中的数据被读出,并被输出到8位I/0端口。
性能指标


YK9Q512ERH是一款高性能、异步、抗辐射512K×8bit静态随机存取存储器,容量达到4Mbit,采用单电源供电。其读写操作由三个控制信号完成:片选信号E1、读/写使能信号W和输出使能信号G。当片选有效(EI可为低电平),W为低电平时,8位I/O上的数据被写入存储器件﹔当片选有效(E1为低电平),W为高电平且输出使能G为低电平时,存储器中的数据被读出,并被输出到8位I/0端口。

主要特点

兼容型号Aeroflex公司UT9Q512E/UT8Q512E

存储容量512K×8bit

工作电压4.5V5.5V3.0V3.6V

读写时间20ns

接口电平TTL电平

抗辐射指标 总剂量100K RadSi

单粒子闩锁阈值75MeV·cm2/mg

单粒子翻转错误率1×10-10错误/·

封装形式CFP36

外形尺寸23.37mm×21.2mm标准成型尺寸

 


功能特点

产品型号

类型

容量

bit

读取时间

ns

工作电压

V

输入电平

封装形式

兼容型号

YK9Q512ERH

SRAM

512K×8

20

单电源53.3

TTL

CFP36

UT8Q512E

UT9Q512E

 


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