YK28C64RH
抗辐射64Kbt1256Kbit可重复编程存储器电路YK28C64RH/YK28C256RH是在5V工作条件下,可重复编程、擦除使用的存储器,并能实现数据存储后的读取功能。
当片选CE为低电平,且编程使能PE为高电平时,若输出使能信号OE为低电平,数据被读出,并被输出到8位I/0端口,若读操作时输出使能信号OE为高电平,I/O端口为高阻态。
性能指标

抗辐射64Kbt1256Kbit可重复编程存储器电路YK28C64RH/YK28C256RH是在5V工作条件下,可重复编程、擦除使用的存储器,并能实现数据存储后的读取功能。

当片选CE为低电平,且编程使能PE为高电平时,若输出使能信号OE为低电平,数据被读出,并被输出到8位I/0端口,若读操作时输出使能信号OE为高电平,I/O端口为高阻态。

主要特点

◎ 工作电压5V±10%

抗辐射指标总剂量:100K Rad (Si)

单粒子闩锁阈值:75Mev-平方厘米/mg

单粒子翻转阈值:37MeV-平方厘米/mg

◎ 读写时间:60ns

三态双向数据总线

专用编程器编程

封装形式 CDIP28 (YK28C64RH/YK28C256RH)

         CFP28(YK28C256RH)

 ◎ ESD等级:2000v 

 


功能特点

产品型号

类型

容量

bit

读取时间

ns

工作电压

V

输入电平

封装形式

兼容型号

*YK28C64RH

FLASH

64K

65

5

TTL

CDIP28

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